高精度贴片电阻

0402精密电阻,0603精密电阻,2010精密电阻,2512精密电阻

常用精密电阻阻值：100K 102K 105K 107K 110K 113K 115K 118K 121K 124K 127K 130K 133K 137K 140K 143K 147K 150K 154K 158K 162K 165K 169K 174K 178K 182K 187K 191K 196K 200K 205K 210K 215K 221K 226K 232K 237K 243K 249K 255K 261K 267K 274K 280K 287K 294K 301K 309K 316K 324K 332K 340K 348K 357K 365K 374K 383K 392K 402K 412K 422K 432K 442K 453K 464K 475K 487K 499K 511K 523K 536K 549K 562K 576K 590K 604K 619K 634K 649K 665K 681K 698K 715K 732K 750K 768K 787K 806K 825K 845K 866K 887K 909K 931K 953K 976K 1M

针对“阴版刻蚀法”存在的套准窗口窄等缺点，从TaN/TiW/Au多层结构出发，我们改变了设计思路，采用“阳版刻蚀法”制作TaN薄膜电阻，其工艺流程图及对应的掩膜版开窗示意。

我们可以看到套刻TaN薄膜电阻所用的掩膜版为阳板，即掩膜版上的大部分是透明的，只有一小部分为遮光区。而且开窗横向线条尺寸大于电阻横向实际尺寸，并已扩展到电阻两边的Au电极上，纵向线条尺寸跟电阻上下尺寸一致。

在溅射TaN/TiW/Au多层结构的Al2O3陶瓷基片上，按照“阳版刻蚀法”进行实验，阵列了12个标称值50Ω/□的TaN薄膜电阻。上述实验中采用正性光刻胶及其配套显影液、去胶剂进行样品制备，使用体视显微镜和低倍金相显微镜观察样品表面形貌，XP-1台阶仪测量光刻胶膜层厚度，FLUKE111万用表测试TaN薄膜电阻。